信息來源: 時間:2020-10-27
MOS晶體管圖形設計,制造MOS晶體管,首先要根據給定的參數,設計出符合要求的圖形。這里概要介紹一下根據跨導gm的要求,來設計一個MOS晶體管的圖形。
設閥值電壓時,要求管子的跨導gm=。
根據條件,所設計的MOS晶體管為N溝道增強型器件,所給定的ga為飽和區跨導。這里的圖形設計,歸結為確定器件溝道的寬長比。
根據飽和區跨導公式:
可寫出器件的寬長比為:
若?。?img src="/userfiles/images/2020/10/27/2020102714517995.png" title="image.png" alt="image.png"/>
可求得:
將上述數值代入,即求得器件的寬長比為:
如果溝道長度L取8μm,則W取64μm。
于是根據所確定的寬長比,就可畫出如圖1-41(a)所示的版圖。MOS晶體管圖形設計其中,大方塊表示襯底P-Si,方塊中左右兩個長方塊表示漏源N+區,中間的間隙,即為溝道的寬與長,溝道上打×的方塊,表示薄氧化層;點劃線表示鋁引線;斜線表示引線孔。若沿虛線AA切開,就可得到如圖1-41(b)所示的截面圖。
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