<track id="dnhnn"><ruby id="dnhnn"></ruby></track>

    <track id="dnhnn"></track>
      <th id="dnhnn"></th>

          <track id="dnhnn"></track>

            <em id="dnhnn"></em>
            <ol id="dnhnn"><del id="dnhnn"></del></ol>
              <em id="dnhnn"></em>
              MOS晶體管圖形設計舉例結構詳細解析

              信息來源: 時間:2020-10-27

              MOS晶體管圖形設計舉例結構詳細解析

              MOS晶體管版圖形設計舉例

              MOS晶體管圖形設計,制造MOS晶體管,首先要根據給定的參數,設計出符合要求的圖形。這里概要介紹一下根據跨導gm的要求,來設計一個MOS晶體管的圖形。

              設閥值電壓image.png時,要求管子的跨導gm=image.png。

              根據條件,所設計的MOS晶體管為N溝道增強型器件,所給定的ga為飽和區跨導。這里的圖形設計,歸結為確定器件溝道的寬長比image.png。

              根據飽和區跨導公式:

              MOS晶體管圖形設計

              MOS晶體管圖形設計

              可寫出器件的寬長比為:

              MOS晶體管圖形設計

              若?。?img src="/userfiles/images/2020/10/27/2020102714517995.png" title="image.png" alt="image.png"/>

              可求得:image.png

              將上述數值代入,即求得器件的寬長比為:

              image.png

              如果溝道長度L取8μm,則W取64μm。

              于是根據所確定的寬長比,就可畫出如圖1-41(a)所示的版圖。MOS晶體管圖形設計其中,大方塊表示襯底P-Si,方塊中左右兩個長方塊表示漏源N+區,中間的間隙,即為溝道的寬與長,溝道上打×的方塊,表示薄氧化層;點劃線表示鋁引線;斜線表示引線孔。若沿虛線AA切開,就可得到如圖1-41(b)所示的截面圖。

              聯系方式:鄒先生

              聯系電話:0755-83888366-8022

              手機:18123972950

              QQ:2880195519

              聯系地址:深圳市福田區車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1

              請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號

              請“關注”官方微信公眾號:提供  MOS管  技術幫助

              半導體公眾號.gif


              推薦文章

              亚洲精品无码久久千人斩探花|两个人看的www高清|国产亚洲青草蜜芽香蕉精品|国产三级精品三级在专区