信息來源: 時間:2020-11-4
大家知道,倒相器的傳輸特性曲線,可以從倒相器兩個管子的電流方程出發,導出輸入電壓與輸出電壓的對應關系式,從而作圖得來。
為了討論方便起見,我們先對負載管與輸入管工作于飽和區或排飽和區的條件作些說明。圖2-40的標出了負最管與輸入管的電壓偏置。CMOS倒相器的傳輸特性
從圖中看到,對于輸入管(NMOS),其工作狀態處于飽和區和非飽和區的分界線為:
其中
當時,NMOS工作在非飽和區;時,則工作在飽和區。
對于負載管PMOS,其工作狀態處于飽和區和非飽和區的分界線為:
其中
當時,PMOS工作在非飽和區,時,則工作在飽和區。
因此,可以寫出兩器件在兩種狀態下的電流公式:
可見,當從0V上升至時,負載管與輸入管將處于不同的工作狀態,因面倒相器的輸出電壓也隨之變化。為了直觀起見,我們先舉一個輸入電壓從0V上升到10V的實際例子,來說明輸出電壓隨輸入電壓的變化關系。CMOS倒相器的傳輸特性這里假定兩個管子完全對稱,具有,當輸入電壓從0V上升到10V時,輸入管和負載管的工作狀態和輸出電壓的變化,可分為五個區域來討論。
第I區城:,輸入管截止;而,負載管導通。
這時Ip=0,輸出電壓,如圖2-41(a)所示。
第II區域:,輸入管導通,工作在飽和區;同時,,負載管也導通,工作在非飽和區。這時,,輸出電壓滿足:,如圖2-41(b)所示。
第III區域:當,仍有,輸入管與負載管都導通,并且都工作在飽和區。這時Ip最大,Vo急劇下降,稱這個區域為高增益區(又稱轉換區)。這時對應的輸入電壓稱為轉換電平,用表示,如圖2-41(c)所示。
第IV區域:時,,輸入管導通,工作在非飽和區,同時,,負載管也導通,工作在飽和區,比時有所下降,輸出電壓滿足。如圖2-41(d)所示。
第V區域:,輸入管導通,但,負載管截止;這時,如圖2-41(e)所示。
根據上述輸出特性的各個工作點,可以作出對應的關系曲線,如圖2-42所示,即為CMOS倒相器的傳輸特性。
以上分析結果雖然是從對稱性互補管子的簡化條件下得到的,但可以對倒相器整個工作過程有個全面的了解。CMOS倒相器的傳輸特性對于非對稱特性器件(即)組成的倒相器的傳輸特性,需要從電流方程出發,得到一般性的表達式。
由圖2-40中看到,通過負載管和輸入管的電流是相等的,即:
在I區內:因為輸入管截上,由于
即:
所以:
在II區內:PMOS工作在非飽和區,NMOS工作在飽和區。因為
所以:
經過整理后,可以求得:
在III區內:PMOS和NMOS均工作在飽和區。
所以:
經過整理,可解得:
若在理想情況下,兩管完全對稱,有
在TV區內:PMOS 工作在飽和區,NMOS工作在非飽和區,所以根據的關系,可以求得:
在V區內:因為負載管截止,由于
所以:
通過上面的分析可以看出,CMOS倒相器具有以下幾個特點:
?邏輯擺幅 大高電平可達,低電平可近似為0。這樣,電源電壓得到充分利用,可以利用較低的電源電壓。
?轉換區的電壓增益高 當轉換電平為時,輸出電壓下降很快,因此可以容許較大的噪聲電壓,抗干擾性能較好。
?功耗低無論是輸出高電平或低電平時,兩個管子總有一支處于截止狀態,電源和地之間沒有直接通路,而只有PN結的漏電流通過。CMOS倒相器的傳輸特性因此工作電流Io是很小的,近似為零。所以,CMOS靜態功耗是極低的,一般在nW數量級。正因為如此,CMOS電路也稱為微功耗電路。
在CMOS電路中,為了設計方便,一般使用最大噪聲容限的定義。它是以直流傳輸特性曲線與直線的交點所對應的輸入電壓,分別與電源和零電位之差,來代表高、低電平的噪聲容限。由于MOS倒相器在轉換區具有十分高的電壓增益,所以交點對應的輸入電壓就是轉換電平,如圖2-43所示。
低電平最大噪聲容限:
高電平直流噪聲容限:
從圖2-43上看到,最大噪聲容限顯然比過去定義的指定噪聲容限和要大,只有在傳輸特性成為理想的特性曲線時,兩者才近似相等。
根據最大噪聲容限的定義知道,要得到較大的噪聲容限,決定于轉換電平的大小。所以必須對轉換電平中各個因素對傳輸特性的影響作一些討論。
對(2-68)式中的各參數,都對進行歸一化,引入歸一化參量。令:
為歸一化轉換電平
,為歸一化PMOS管的閥值電壓
,為歸一化NMOS管的閥值電壓
PMOS管對NMOS管的k因子比
于是(2-68)式寫成歸一化形式
若兩管對稱,即,可以得到理想的最大噪聲電壓為1。
實際上,不等于,也不等于,所以,使噪聲容限減小。圖2-44表示不同的對傳輸特性的影響,圖2-45表示兩管閥值電壓不同對傳輸特性的影響。CMOS倒相器的傳輸特性設計中,在的情況下,為了使盡可能接近1/2,往往采用調節的大?。凑{節兩管的幾何尺寸比)來達到。
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