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              MOS場效應晶體管基本概念特性及特點

              信息來源: 時間:2020-10-20

              MOS場效應晶體管基本概念特性及特點

              (1)功耗低 

              MOS場效應晶體管特性是一種表面器件,它的工作原理、導電機理和制造方法與雙極型晶本管相比,有很大的不同。

              MOS晶體管是電壓控制器件,而雙極型晶體管是電流控制器件。而導通一個雙極型晶體管要給基極提供電流;而導通一個MOS晶體管只要在控制柵極上提供一個電壓。由于柵源之間隔著阻抗高達101Ω以上的氧化膜絕緣層,因此其有很高的輸入阻抗。對于增強型MOS晶體管而言,在漏源之間隔著兩個“背靠背”的PN結,所以柵源、漏源之間并不存在著直接通路。因此,MOS品體管的功耗是非常低的,幾乎在不消耗輸入功率的情況下能夠維持工作,這對MOS集成電路更有重要的意義。

              MOS場效應晶體管特性

                     NMOS增強型       NMOS耗盡型     PMOS端強型       PMOS耗盡型

              圖1-8四種類型MOS品體管的轉移特性及符號

              (2)器件幾何尺寸小

              由于MOS晶體管的結構簡單,因此MOS管的幾何尺寸可以做得很小。尤其在集成電路中,相當于一只雙極型晶體管所占的面積上能放進幾十只MOS晶體管,因此可以大大提高MOS電路的集成度。

              (3)制造工藝簡單

              MOS晶體管的制造工藝步驟要比雙極型晶體管簡單,只要一次擴散,兩次氧化,四次光刻,經過高溫的次數少。所以容易控制,成品率較高。

              MOS場效應晶體管特性,但MOS晶體管也有它的不足之處,主要是開關速度較慢,工作頻率較低。MOS集成電路的工作速度要比等效的雙極型集成電路慢10倍到100倍,甚至更多。但近年來,經過各方面的改進,MOS晶體管的開關速度已有很大的提高。


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