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              電子技術論壇

              第一章 MOS晶體管原理與特性

              §1.1 MOS晶體管一般介紹

              一、MOS場效應管晶體管的結構及工作原理

              二、MOS晶體管的四種類型

              三、MOS場效晶體管的特點



              §1.2 MOS 晶體管的物理基礎

              一、理想MOS系統在外場作用下的硅表面

              二、表面勢及空間電荷區的電荷

              三、MOS電容

              四、實際MOS系統的硅表面

              五、MOS器件的閾值電壓



              §1.3 MOS晶體管的輸出特性

              一、 MOS晶體管輸出的特性的定性討論

              二、MOS晶體管電流-電壓特性方程


              §1.4 MOS晶體管的主要參數

              一、直流參數

              二、低頻小信號參數

              三、MOS晶體管的最高頻率



              §1.5 MOS晶體管的最高頻率

              一、導電因子隨溫度的變化

              二、閾值電壓溫度的變化


              §1.6 MOS晶體管圖形設計舉例


              第二章 MOS倒相器和門電路

              §2.1 電阻負載MOS倒相器

              一、工作原理

              二、負載線與工作點

              三、不同負載對倒相器性能的影響



              §2.2 E/E MOS倒相器

              一、工作原理

              二、靜態特性分析

              三、瞬態響應

              四、MOS倒相器設計舉例


              §2.3 E/DMOS倒相器

              一、工作原理

              二、靜態分析

              三、瞬態分析



              §2.4 CMOS倒相器

              一、CMOS倒相器原理

              二、直流傳輸特性和噪聲容限

              三、瞬態響應

              四、功耗討論


              §2.5 MOS門電路與傳輸門

              一、單溝道MOS門電路

              二、CMOS門電路

              三、MOS傳輸門



              第三章 觸發器和其它邏輯部件

              §3.1 MOS觸發器

              一、R-S觸發器

              二、J-K觸發器

              三、D觸發器



              §3.2 MOS加法器

              一、MOS半加器

              二、MOS全加器


              §3.3 MOS譯碼器

              一、三變量譯碼器

              二、八段譯碼器


              §3.4 MOS移位寄存器

              一、靜態移位寄存器

              二、動態移位寄存器


              第四章 大規模集成電路

              §4.1 MOS存貯器

              一、隨機存取存貯器(RAM)

              二、只讀存貯器(ROM)


              §4.2 電荷耦合器件(CCD)

              一、CCD結構及工作原理

              二、CCD基本參數及結構改進

              三、CCD應用概述



              第五章 MOS集成電路設計與布圖

              §5.1 PMOS集成電路版圖設計

              一、PMOS電路器件設計

              二、版圖設計


              §5.2 CMOS集成電路設計

              一、CMOS電路器件設計

              二、CMOS版圖設計概要

              三、CMOS閾值電壓的設計



              §5.3 超大規模集成電路設計的基本原理簡介

              一、概述

              二、按比例縮小設計原理


              第六章 MOS工藝

              §6.1 MOS常規工藝

              一、PMOS工藝

              二、NMOS工藝


              §6.2 硅柵工藝

              一、主要優點

              二、P溝道硅柵工藝

              三、等平面硅柵N溝MOS工藝



              §6.3 離子注入技術在MOS工藝中的應用

              一、離子注入法調整MOS器件的VT

              二、離子注入實現柵自對準


              §6.4 雙層柵工藝

              一、MNOS工藝

              二、MAOS工藝


              §6.5 CMOS工藝

              一、基本CMOS工藝敘述

              二、離子注入法制造CMOS電路

              三、SOS技術制造CMOS電路



              §6.6 E/D MOS工藝

              一、離子注入法制造E/DMOS

              二、Sio2-AI2O3雙層柵E/DMOS

              三、雙擴散法制造E/DMOS



              §6.7 VMOS工藝

              一、結構與特點

              二、VMOS的主要工藝過程


              §6.8 生產中電路參數的監測方法

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