電子技術論壇
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第一章 MOS晶體管原理與特性
§1.1 MOS晶體管一般介紹
§1.2 MOS 晶體管的物理基礎
§1.3 MOS晶體管的輸出特性
§1.4 MOS晶體管的主要參數
§1.5 MOS晶體管的最高頻率
二、閾值電壓溫度的變化 |
第二章 MOS倒相器和門電路
§2.1 電阻負載MOS倒相器
§2.2 E/E MOS倒相器
四、MOS倒相器設計舉例 |
§2.3 E/DMOS倒相器
§2.4 CMOS倒相器
§2.5 MOS門電路與傳輸門
第三章 觸發器和其它邏輯部件
§3.1 MOS觸發器
§3.2 MOS加法器
§3.3 MOS譯碼器
§3.4 MOS移位寄存器
第四章 大規模集成電路
§4.1 MOS存貯器
§4.2 電荷耦合器件（CCD）
第五章 MOS集成電路設計與布圖
§5.1 PMOS集成電路版圖設計
§5.2 CMOS集成電路設計
§5.3 超大規模集成電路設計的基本原理簡介
第六章 MOS工藝
§6.1 MOS常規工藝
§6.2 硅柵工藝
三、等平面硅柵N溝MOS工藝 |
§6.3 離子注入技術在MOS工藝中的應用
一、離子注入法調整MOS器件的VT | 二、離子注入實現柵自對準 |
§6.4 雙層柵工藝
一、MNOS工藝 | 二、MAOS工藝 |
§6.5 CMOS工藝
一、基本CMOS工藝敘述 | 二、離子注入法制造CMOS電路 |
三、SOS技術制造CMOS電路 |
§6.6 E/D MOS工藝
一、離子注入法制造E/DMOS | 二、Sio2-AI2O3雙層柵E/DMOS |
三、雙擴散法制造E/DMOS |
§6.7 VMOS工藝
一、結構與特點 | 二、VMOS的主要工藝過程 |
§6.8 生產中電路參數的監測方法
