離子注入法制造MOS源、漏區實現柵自對準

用離子注入法制造MOS器件的源、漏區，可以實現柵自對準。自對準mosfet。但完全由離子注入形成源、漏區的MOS結構是很不理想的。

第一，為了得到P摻雜區較低的薄層電阻，要求注入的離子劑量是很高的（通常大于10¹³個/cm²），因而會使晶格發生嚴重的損傷，造成器件很大的反向漏電。如果注入劑量達不到相當的數量，源漏區的方塊電阻很大，使器件產生很高的源漏奇生電阻。

第二，由于注入的結深是很淺的，使得源漏耐壓很低。

這些原因限制了離子注入法在摻雜方面的使用。自對準mosfet。目前都采用離子注入與擴散相結合的方法，如圖6-11所示。

先用擴散技術制作器件的源漏，以得到P區所必須的薄層電阻，然后，用離子注入進行補償，以形成P區的擴展部分，如圖6-11（b）所示。自對準mosfet。采用鋁柵是為了保護柵氧化物，同時作為掩膜，使離子注入到預定的區域（稱為補償區），以形成柵自對準結構。

用離子注入法實現柵自對準時，應注意：

①鋁柵電極應比普通P溝道工藝尺寸小得多，以留出補償區進行離子注入；

②為了使硼高子基本上都注入到硅中，在SiO2，中積累盡可能少，離子能量應調節適當；

③硼的注入能量均選在左右，磷注入能量選用，金屬層也應有足夠厚度；

④實際工藝中，補償區范圍可以從幾微米到幾十微米，氧化層厚度左右，鋁金屬層厚度400nm左右，所獲得的補償區薄層電阻為4000Ω/口，退火時間15分，溫度為500℃左右。

必須注意，因為注入在鋁電極形成之后，故退火溫度不能過高，不能超過鋁硅共熔點。

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