離子注入法制造E/DMOS電路的工藝方法分析

在同一塊襯底上制造相同溝道的增強型與耗盡型MOS器件，即E/D型的MOS電路，這比一般MOS工藝要困難得多。因此在MOS工藝發展的初期，E/DMOS電路的發展速度比較緩慢。但隨著MOS技術的日新月異，目前已有幾種制造E/DMOS電路的工藝方法。

1、P溝道E/DMOS

首先按P溝道增強型MOS的常規工藝，做到柵氧化為止，然后制造耗盡型MOS負載器件，即在負載管的溝道區進行硼離子注入。增強型器件由光刻膠保護，其它區域由厚氧化層保護，離子不能透過這些區域。這樣就使負載管的溝道區摻雜成為P型，形成耗盡型MOS。

由于鋁柵P溝道增強型MOS器件的V；數值較大，所以首先要用離子注入法降低Vr的數值。因此，在柵氧化（~120nm）以后，先進行第一次硼注入，以降低兩個器件的閥值電壓數值，然后進行磷處理，以磷硅玻璃作為增強型器件的掩膜，再進行第二次注入，以形成耗盡型MOS器件。E/DMOS電路的工藝。注入以后，要在950℃的干氮中退火10分鐘，圖6-21為離子注入制造P溝道E/DMOS示意圖。

2、N溝道E/DMOS

同樣可用離子注入技術制成N溝道的E/DMOS電路。大家知道，N溝道MOS器件容易制成耗盡型的，所以可以在不要形成原始溝道的地方，注入P型雜質，以提高溝道區的摻雜濃度。如圖6-22所示。

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