電子技術論壇
SiO2-AI2O3雙層柵E/DMOS電路概述
信息來源： 時間：2020-12-4
SiO2-AI2O3雙層柵E/DMOS電路概述
由于AI2O3層內含有負電荷，可以抵消SiO2中的正電荷，因此可以控制SiO2和AI2O3的厚度比，從而使NMOS的閥值電壓成為正值。圖6-28是用SiO2-AI2O3。技術制造的N溝道E/DMOS電路。其襯底取10Ω·cm、〈100〉方向的P型硅單晶片。耗盡型器件，在柵氧化以后，進行一次磷處理，閥值電壓控制在一1.5V。增強型器件，在柵氧化以后，淀積一層AI2O3，閾值電壓控制在+1V。這種電路可在5V電源下工作。
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