VMOS的主要工藝過程基本流程步驟分析

（1）一次氧化

在以（100）面的N⁺-Si為基片的N^-外延層上，生長一層二氧化硅掩膜。如圖6-26（a）所示。

（2）光刻、硼擴散

硼擴散，形成襯底P區，擴散深度約為2μm左右。如圖6-26（b）所示

（3）光刻、磷擴散

磷擴散，形成源區，結深約為1μm左右，并作低溫淀積，生成二氧化硅保護膜。如圖6-26（c）所示。

（4）光刻、腐蝕V形槽

光刻V形槽窗口，用水合聯氨腐蝕V形槽。如圖6-26（d）所示。

（5）預刻引線孔

預刻引線孔，并做柵氧化，表面飩化磷處理。如圖6-26（e）所示。

（6）電極引線

刻引線孔、蒸鋁、反刻電極，完成電極引線。如圖6-26（f）所示。至此，芯片形成。

以上工藝，除了V形槽腐蝕工藝以外，都是常規的平面工藝。而V形槽的腐蝕是最關鍵的一環。因為VMOS晶體管的溝道在V形槽壁旁邊，所以腐蝕質量的好壞對VMOS特性有顯著的影響。

V形槽的腐蝕，是利用Si單晶各向異性的化學性質。VMOS的主要工藝過程。腐蝕液可用水合聯氨（即水合肼N2H4H2O）或水和異丙醇緩沖的KOH混合液。

V形槽的腐蝕過程是這樣的：首先在（100）面上開出V形槽孔，然后把片子放入加熱到80~100℃的腐蝕液中，由于（100）面的腐蝕速度很快，裸露的（100）表面很快就腐蝕出凹坑。與（100）晶面成54.74°交角的（111）晶面，沿著腐蝕窗孔的四邊向體內伸展下去，構成一個四面棱錐。如圖6-27所示。因為（111）晶面的腐蝕速度特別慢，所以當腐蝕窗孔（100）表面全部腐蝕完時，腐蝕坑的側壁全部由（111）晶面限定，腐蝕就基本自動停止。

必須注意，光刻窗口的邊線必須嚴格平行或垂直于〈110〉方向，如有偏離，腐蝕坑會沿真正的〈110〉線發生鉆蝕而產生畸變，如圖6-28所示。VMOS的主要工藝過程。所以在版面設計V形槽時，就要特別注意。

除了上述鋁柵VMOS以外，還可結合硅柵等工藝，制作VMOS晶體管及集成電路，使器件的性能得到進一步改善。

VMOS工藝雖然復雜，但只要仔細操作，完全可以控制得好的。VMOS的主要工藝過程。一旦各向異性腐蝕技術成為非常容易操作的常規工藝，VMOS工藝將被人們普遍用來制造大規模MOS集成電路。

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