電子技術論壇
MOS場效應管的閾值電壓VT（VDS=0）
信息來源： 時間：2020-12-10
MOS場效應管的閾值電壓VT（VDS=0）
MOS閾值電壓VT
所謂理想MOS管就是假定柵氧化層中不存在正電荷，金屬柵極和半導體之間不能交換電子（即不考慮金屬與半導體之間的接觸電勢差）。對于圖1.2-5所示的理想n溝MOS管（襯底是P型硅），在柵極上加以電壓VGS時，則有一部分電壓
降落在氧化層上，另一部分電壓 ф 降落在半導體表面，即有：
由前面討論可知，要使P型表面成為強反型，ф必須滿足：
當表面剛形成強反型時，
，耗盡層厚度達到最大值
，耗盡層中單位面積的電荷量
為：
由此便可得到理想的n溝MOS管的閾值電壓
：
由
和
的表示式可知，在一定的溫度下，對于一定的襯底材料，
和
的大小完全由摻雜濃度
決定。MOS閾值電壓VT。摻雜濃度
越大，
越大，理想n溝MOS管的閾值電壓
也越大。
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