MOS場效應管短溝道閾值電壓分析模型

MOS場效應管模型 如圖1.4-6所示。

MOS場效應管的主要參數關系式和工藝參數如下（詳見參考文獻[12]）；

1、閾值電壓VT

式中a為短溝道修正系數，

2、載流子遷移率μ

式中μ。為低電場載流子遷移率。

θ為遷移率的修正系數。

3、進入飽和區時的漏電壓

4、溝道長度調制

式中L為溝道長度的設計值，為擴散深度（結深），短溝道MOS閾值電壓模型a為擴散的橫向修正系數。

（1）線性區

（2）飽和區

式中

5、溝道寬度W的有效寬度

式中W為溝道寬度的設計值，xw為場氧化層厚度

6、MOS場效應管電流IDS

（1）線性區

（2）飽和區

將（1.4-26）式中的VD用（1.4-21）式的代替，短溝道MOS閾值電壓模型?？梢缘玫斤柡蛥^的IDS關系式。

（3）截止區（VG-VS<VT）

7、MOS電容（CGS，CGD，CGB）

（1）線性區

（2）飽和區

（3）截止區

8、結電容

式中

W，L，分別為漏或源的擴散區的寬度和長度，為p-n結的接觸電勢。

9、CMOS工藝的主要參數

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