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N溝耗盡型MOS管作為有源電阻分析詳解
信息來源： 時間：2020-12-17
N溝耗盡型MOS管作為有源電阻分析詳解
N溝道耗盡型作為有源電阻
N溝道耗盡型作為有源電阻時，其連接方式（即柵源短接）和V-I特性分別如圖2.1-4、b所示。
由圖可知，當管子進入飽和區后，漏源兩端阻抗為高阻抗。
用圖2.1-5交流小信號等效電路，可求得漏源端的等效阻抗ro。
當襯底與源極之間的電壓VDS=0時，圖中
均等于零（
），則有
當VDS≠0時，則
由（2.1-6）、（2.1-7）式可知，N溝耗盡型MOS管的有源電阻比上述增強型MOS管的有源電阻大。因而用N溝耗盡型MOS管作為放大器的有源負載時，具有較高的電壓增益。
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