電子技術論壇
晶體管VBE電壓為基準的偏置電路詳解
信息來源： 時間：2020-12-30
晶體管VBE電壓為基準的偏置電路詳解
VBE為基準的偏置電路如圖2.7-3所示，圖中的PnP晶體管Q1與CMOS管同時形成。
由M1~M4構成的反饋回路，迫使流過Q1管的電流與流過電阻R的電流相同。由圖可得如下關系式
即
該式表明，圖2.7-3的偏置電路也具有較大的負溫度系數。
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