晶體管熱電壓為基準的偏置電路

晶體管熱電壓

通常定義熱電壓=，式中為玻爾茲曼常數，T為絕對溫度，q為電子電荷。以熱電壓為基準的偏置電路其典型電路形式如圖2.7-4所示。

圖中晶體管Q2的發射區面積是晶體管Q1發射區面積的n倍，M1~M4管構成反饋回路，使流過Q1和Q2的電流相等。由圖可得

而且

將VBE關系式代入（2.7-6）式得

和電阻R均為正溫度系數，只要選擇適當的系數n，可使偏置電流I具有零溫度系數，因而圖2.7-4電路的偏置電流與溫度無關，可作為基準電流源。

由于溝道調制效應，流過M1和M4管的電流略有不同，且輸出電流的大小也與輸出端電壓大小有關。為克服這一缺點，可用串級電流源，其電路形式如圖2.7-5所示。

用圖2.7-5的電路結構，可獲得基準電壓源和基準電流源，其電路形式如圖2.7-6所示。由圖和（2.7-7）式，Vo電壓可寫為

選擇適當的n和電阻系數X，使上式的第一項和第二項的溫度系數相互抵消，那么Vo可作為基準電壓。由圖可知，利用負反饋電路，可以將此基準電壓Vo轉換為穩定的電流。

聯系方式：鄒先生

聯系電話：0755-83888366-8022

手機：18123972950

QQ：2880195519

聯系地址：深圳市福田區車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C座

請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號

請“關注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術幫助