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              ?CMOS運放的瞬間相響應與建立時間解析

              信息來源: 時間:2021-1-19

              CMOS運放的瞬間相響應與建立時間解析

              當t≥Ts時,運放進入線性放大狀態,由圖3.3-2得閉環的傳遞函數為

              CMOS建立時間

              式中

              CMOS建立時間

              CMOS建立時間

              由(3.3-17)式閉環放大器的極點為

              CMOS建立時間

              顯然,極點分布與阻尼系數ξ有關,因而建立時間image.png也與有關。

              由(3.3-19)、(3.3-21)式,得到

              CMOS建立時間

              image.png1時,補償電容Cc有如下關系,

              CMOS建立時間

              利用(3.3-10)式初始條件及(3.3-17)式,可求得不同ξ值時的建立時間image.png(詳細推導可參看文獻[13])。

              1、ξ<1(有過沖情況)

              CMOS建立時間

              公式(3.3-27)第一項表示轉換時間,第二項表示線性工作區的建立時間。若δ=0.001,則(3.3-26)、(3.3-27)式可寫為

              image.png

              CMOS建立時間

              2、image.png=1(臨界阻尼)

              CMOS建立時間

              上式的建立時間image.png可用圖解法求得。

              3、image.png〉1(過阻尼)

              CMOS建立時間

              由上面討論可知,要縮短建立時間TSST,應提高運放的單位增益帶寬(GB=Avoω1)和高頻極點頻率ω2,并且擴大輸入級的動態范圍(Io/gm1)。

              為獲得較短的建立時間,取阻尼系數ξ小于1,通常取0.6~0.9?,F對圖3.3-3所示的CMOS運放電路進行瞬態分析。

              圖中各主要參數見表3.3-1.各管的寬長比見表3.3-2.

              CMOS建立時間

              CMOS建立時間

              將圖3.3-3接成跟隨器,輸入電壓為image.png伏階躍信號,根據圖3.3-3、表3.3-1的數據以及(3.3-23)、(3.3-27)式,可求得ξ=0.001時的建立時間TSST;

              CMOS建立時間

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