電子技術論壇
高性能CMOS功率運放主要參數綜述講述
信息來源： 時間：2021-1-31
高性能CMOS功率運放主要參數綜述講述
圖3.7-8是高性能CMOS功率運放，其主要參數列于表3.7-3。
圖中的前置放大器（M1~M11）與前一節圖3.6-4高電源抑制比運放的電路結構相同，因此圖3.7-8功率運放具有高電源抑制比。圖中的輸出級部分與圖3.7-6電路相同，MH1~MH11構成A1放大器，ML2~ML11構成A2放大器，MH3和M15提供正向輸出電流，
和M17，吸入負向電流，Cc1、Cc2和Cc3分別為前置放大器、A1放大器和A2放大器的須率補償電容。圖中各管的W/L比如表3.7-4所示。
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