CMOS鋁柵-硅柵等平面隔離典型工藝分布流程詳解

鋁柵CMOS的流程如圖4.1-7所示。簡單說明如下：

1、p阱氧化和p阱光刻

在n型硅片上熱生長一層SiO2，作為P阱離子注入的掩蔽層，氧化層厚度根據離子注入能量、劑量以及p阱再分布溫度和時間來定，一般要求在5000埃以上。然后進行光刻，把P阱區的氧化層腐蝕掉。

2、P阱硼離子注入和再分布

P阱是CMOS電路中n溝MOS管的襯底，P阱表面雜質濃度的大小，直接影響著n溝MOS場效應管的閾值電壓，因此必須嚴格控制P阱離子注入的能量，劑量及隨后進行的P阱再分布條件，由于P阱的雜質濃度較淡（表面濃度約10¹⁵/厘米³，隨著擴散深度加大，濃度越來越淡），n溝漏源區與P阱之間的p-n結耗盡層寬度就比較寬，因此P阱深度不能太淺，以防止n溝漏源區與n^-硅襯底之間的穿通，并避免寄生npn雙極型晶體管的β過大。一般P阱深度約8~10微米，再分布溫度為1200℃，時間為10小時左右。

在P阱再分布的同時，也進行著熱氧化，以作為下道p⁺、n^-擴散時的掩蔽。在熱氧化過程中，必然會有很多B⁺離子跑到SiO2中去，因此離子注入的劑量必須適當大一些，定量分析可由計算機工藝模擬進行計算，一般取1013/厘米²數量級。

3、P溝道漏源光刻和漏源硼擴散

在P溝道漏源光刻的同時，把NMOS管周圍的P⁺溝道截止環同時刻出，以便一起進行P⁺硼擴散。在硼擴散的同時還進行熱氧化，以作為p⁺區上的保護層及下一道n⁺擴散的掩蔽。

4、n溝道漏源光刻和漏源磷擴散

在n溝道漏源光刻的同時，把PMOS晶體管周圍的n⁺溝道截止環同時刻出，以便一起進行n+磷擴散。在磷擴散的同時還進行熱氧化，以作為n⁺區上的保護層。

5、光刻柵

在刻出MOS管柵區的同時，把引線孔也刻出，以便于以后的引線孔腐蝕。

6、柵氧化和接觸孔光刻

用清潔氧化工藝在硅片上生長一層優質的薄柵氧化層，然后進行引線孔光刻。

7、蒸鋁反刻和合金

聯系方式：鄒先生

聯系電話：0755-83888366-8022

手機：18123972950

QQ：2880195519

聯系地址：深圳市福田區車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1

請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號

請“關注”官方微信公眾號:提供  MOS管  技術幫助