硅柵CMOS工藝6微米設計規則及版圖分析

根據第一節（五）所述，硅柵等平面隔離CMOS工藝步驟中所用的九塊光刻版制訂規則如下（有些規則的考慮出發點與鋁柵相同的就不加以說明）：

1、P阱版

P阱到P阱之間最小間距為26微米。

2、有源區版

（1）有源區最小寬度為6微米。

（2）有源區最小間隔為8微米。

（3）P阱外P⁺有源區離P阱最小間距為20微米。

（4）P阱外n⁺有源區離P阱最小間距為10微米。

（5）P阱內n⁺有源區離P阱為10微米。

（6）P阱周圍的P⁺環有源區內側，離P阱間距為2微米，P⁺環有源區外側離P阱為4微米。

3、n溝場注入版

n溝場注入區比p阱大4微米，以保證P阱區表面不會反型。

4、多晶硅版

（1）多晶硅最小寬度為6微米。

（2）多晶硅最小間隔為6微米，因為多晶硅之間不需要考慮橫向擴散。硅柵CMOS工藝6微米設計。

（3）在多晶硅與擴散區交疊以形成MOS管區時，多晶硅必須伸出有源區6微米，以保證漏源之間的溝道區上面確實有柵電極的電位控制，防止漏源之間直接短路。如圖4.3-3所示。

（4）在非MOS管區，多晶硅與有源區的間隔為4微米，否則在光刻未套準時，多晶硅與擴散區交疊會形成一個不需要的MOS電容。硅柵CMOS工藝6微米設計。

5、P溝閾值電壓VT的調整版

P溝VT調整版，必須至少比P溝MOS管溝道區大4微米，它可用P阱或n溝場注入的反版。

6、n⁺擴散版圖設計規則

n⁺擴散版要比n⁺有源區至少大4微米。

7、p⁺擴散版

p⁺擴散版要比p⁺有源區至少大4微米，實際上可以用n⁺的反版。

8、引線孔版

（1）有源區上的引線孔與有源區邊界的最小間距為4微米。

（2）有源區上的引線孔與多晶硅柵的最小間距為6微米。

（3）多晶硅上的引線孔與多晶硅邊界的最小間距為4微米。

（4）引線孔最小尺寸為6微米×6微米或4微米×8微米。

9、鋁條光刻版

（1）鋁條最小寬度6微米。

（2）鋁條最小間隔6微米。

（3）鋁條覆蓋引線孔2微米。

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