硅柵CMOS運放版圖設計的典型實例

硅柵CMOS運放版圖實例如圖4.3-4所示，此版圖所表示的線路圖是第三章圖3.11-7所示的CMOS運放。版圖中的序號對應于圖3.11-7電路中管子的序號。

圖中M1、M2輸入管制作在一個P阱內，P阱電位由P⁺環接向兩管的源極，即M1、M2管通過獨立的P阱，使襯底與源極短接，以減小襯底偏置效應。其他n溝MOS管都制作在另一P阱中。P溝MOS管制作在P阱外的n^-襯底上。圖中的補償電容Co由雙層多晶硅構成。

圖4.3-4所示的版圖共有十一套光刻版，它們是：

（1）p阱光刻版。

（2）有源區光刻版。

（3）多晶硅I光刻版。多晶硅I作為MOS電容的下電極。

（4）n溝場注入光刻版。此道工序在n溝場區注入硼，以提高n溝場區的場開啟電壓。在n溝場注入前，有源區部分已有Si3N4掩蔽，硼離子不會注入到有源區，因此n溝場注入光刻版可用P阱光刻版。

（5）P溝MOS管閾值電壓調整光刻版，此光刻版用P阱的反版。

（6）多品硅II光刻版。此工序形成MOS管柵極和多層多晶硅電容的上電極。

（7）p⁺區光刻版。

（8）n⁺區光刻版，即p⁺區光刻版的反版。

（9）引線孔光刻版。

（10）鋁條光刻版。

（11）鈍化光刻版。

圖4.3-4所示的運放版圖是實際版圖（芯片尺寸）的500倍，MOS管的最小溝道長度是微米。

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