MOS集成多諧振蕩器電路實際分析詳解

圖6.1-1的實際電路圖如圖6.1-4所示。運放A1與M2構成負反饋回路它將輸入電壓轉變為電流I，并等于/R。因此，該電路為壓控（電壓控制）振蕩器。由圖可知，M4、M5、M6和M7的電流等于M3的電流I，當M9導通，M8載止時，M1與M5構成電流源電路，因而M1電流為I；當M10導通、M11截止時，M2與M7構成電流源，M2的電流也等于I。顯然，M1電流由M9、M8控到，M2電流由M10、M11控制，而M5~M11的工作情況，取決于運放A2輸出電壓Vo電平的高低。多諧振蕩器電路。當Vo電壓為高電平VDD時，M9導通，M8截止，M1電流等于M5電流I，與此同時，M10截止，M11導通，M2的極電壓等于Vss，使M2截止。因此，Vo=VDD時，電流I經M1管向電容C充電，電壓V1上升，當上升到VDDR1/（R1+R2）時，A2輸出電壓Vo從VDD變至VSS，這時，M1柵極電位等于VDD電壓，使M1截止。與此同時，M10導通，M11截止，使M2導通，其電流等于M7電流I。電容C通過M2放電，V1電壓下降，當降至VssR1/（R1+R2）時，Vo電壓又變至VDD。該電路的振蕩頻率表示式與（6.1-3）式相同，即

對于VDD=-Vss，上式寫為

由上式可知，振蕩頻率f與輸入電壓Vin顯線性關系，因此圖6.1-4電路為壓控振蕩器。利用該電路可實現電壓一頰率轉換。

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