MOS場效晶體管界面處載流子遷移率與漏電壓的關系

在低電場下，電子的漂移速度υd與外加電場Ez成正比，可用υd=μEх表示。故電子的漂移遷移率μ為常數，但隨著電場強度的增加，電子和聲學聲子發生非彈性碰撞，結果是電子給予聲學聲子的能量比例增大，因此，電子的漂移速度雖增加，但不與電場成正比地增加。若進一步增加電場，電子的動能就變得很大，釋放出光學聲子，電子的漂移速度不再增加。載流子遷移率與漏電壓的關系。這種現象可在晶體內部，也可在表面內發生，圖1.14就是硅N型表面反型層中電子的漂移速度與電場關系的實測曲線8） 。

尤其是溝道長度較短的高頻用或高速開關用的MOS場效應晶體管，即使漏-源之間的電壓不太大，溝道中電場強度也容易增大，載流子的漂移速度處于不與電場成正比的區域?？紤]到此種效應，圖1.14中所示的漂移速度與電場的關系可寫作

式中μo為低電場下載流子遷移率

υs為電場極強時載流子漂移速度的飽和值。

我們來研究MOS場效應晶體管的靜態特性發生何種變化。

為使討論不過于復雜，式（1.11）可改寫為

將式（1.77）代入此式中的υd，并利用關系式，得

因而有

由上式可知，漏電壓增大后，由于載流子速度飽和，從而跨導等要降低到。

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