電荷耦合器件概述流程及工作原理的簡單說明

今有圖1.21所示的兩個緊鄰的MOS二極管。假設在電極1的下面積累了用某種方法注入的空穴，形成反型層。又假設在電極2上加一電壓，選擇其極性使電極2下面形成耗盡層，或形成積累層。并假設于某一時刻加一個可形成反型層的某極性的大電壓。兩個MOS二極管十分接近，使MOS二極管2的耗盡層到達MOS二極管1的反型層，此時MOS二極管1中的少數載流子就轉移到MOS二極管2中去。從而如制造互相接近的MOS二極管陣列，從一側起依次加上電壓，少數載流子就能夠依次轉移，可簡單地構成移位寄存器、延遲線、掃描電路之類的電路?；谏鲜鲈碇谱鞯钠骷Q為電荷耦合器件。

各MOS二極管若分別獨立地加電壓，會增加引線數目，是不經濟的，但是當少數載流子的轉移方向為一維時，如不在器件本身上采取特殊措施，而采用三相電壓，引出三根引線，就能確保載流子轉移的單向性。如圖1.22（a）所示，假定只在電極1下面存在空穴，在電極1、2、3分別加電壓V1、V2、V3。在電壓為V2的電極下穩態時形成積累層或耗盡層，如具備這樣的電壓條件，此種狀態下電極1下面的空穴就不向別處運動。對此種結構如加上圖1.22（d）所示的隨時間變化的電壓，即電極1的電壓為V2，電極2的電壓為V1，則電極1下面的空穴就向電極2下面轉移。同理，如電極2的電壓為Vz，電極3的電壓為V1，空穴就轉移到電極3下。若此時用的是兩相電壓，在電極1和電極3加相同的電壓，空穴就在電極1和電極3上進行分配，所以必須加三相電壓使電極1的電壓保持在V2、電極3的電壓變成V1。同理，如要使空穴從電極3轉移到電極4，各電極的電壓分配就要恢復到電極1下面有空穴的初始狀態，至此正好完成了一位的電荷轉移。這就是三相電荷耦合器件的原理。在少數載流子的轉移方向上，如能夠用一個電壓由外部加電場，或在內建一個電場，就可減少電荷耦合器件的相數。圖1.23是兩相電荷耦合器件的例子。

聯系方式：鄒先生

聯系電話：0755-83888366-8022

手機：18123972950

QQ：2880195519

聯系地址：深圳市福田區車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1

請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號

請“關注”官方微信公眾號:提供  MOS管  技術幫助