MOS晶體管斬波器的恒壓性漂移及降低溫差措施示例

MOS晶體管斬波器的恒壓性漂移是因室溫起伏和周圍空氣的波動所產生的溫差電動勢。這種溫差電動勢主要是由MOS晶體管的引線與接觸點之間的溫度差所引起的。廣泛用作晶體管密封管座引線的科伐線與銅線間的溫差電動勢，大約為27μV/℃。

例如圖2.113所示的并聯型斬波器電路的A/B兩點之間若有0.1℃的溫度差，就產生27μV的溫差電動勢。MOS晶體管斬波器的恒壓性漂移。此溫度差經引線傳遞到MOS晶體管芯片上，就在源與漏電極間產生約幾萬分之一℃的溫度差。硅襯底與鋁、金或銅之間的溫差電動勢高達約400μV/℃，從而對于約幾萬分之一℃的微小溫度差相應地有約0.01μV的溫差電動勢。

圖2.114是這種硅襯底上的溫差電動勢測量實例，為了去除科伐線的影響，我們試作了用純銅作引線的元件，測量了引線間的溫度差。MOS晶體管斬波器的恒壓性漂移。與科伐線接觸點之間的溫差電動勢相比，銅線間的溫差電動勢完全可以忽略，所以降低恒壓性漂移的措施集中在降低引線接觸點之間的溫差電動勢。其措施有兩點：

1）用銅作引線；

2）降低引線端點間的溫度差（溫度起伏）。市售半導體器件的密封管殼，只采用科伐線。如欲將科伐換成銅，應首先解決因封接玻璃與銅的熱膨脹系數不同而引起的裂紋，以及因銅表面氧化而引起的斷線等問題。

為了降低溫度差，引線要盡量剪短并使之互相靠近后再上焊錫。另外，如使兩根引線絕緣地扭絞在一起，則可實現兩根引一樹脂線間的等溫化。

又如圖2.115所示，引線在中途換接上銅線，可使接觸部分等溫化。最后應將已布線的襯底裝進封裝管殼內，防止內部空氣的擾動。圖2.116為采取這些措施后的效果比較。

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