電子技術論壇
概述MOS集成電路設計基本電路舉例詳解
信息來源： 時間：2021-4-23
概述MOS集成電路設計基本電路舉例詳解
圖3.20是由P溝道晶體管構成的“或非”門電路。該電路采用漏接地的形式，備有輸出緩沖器。大規模集成電路中的電路也常用這種門電路來組合。
N溝道144位存儲器是作為高速MOS存儲器研制的18），用于該存儲器的單元電路如圖3.21所示。它是由觸發器和寫入一讀出門構成的簡單電路，為了實現40毫微秒的高速度的寫入時間，我們采用遷移率高的N溝道。由于用通常工藝做出的MOS管為耗盡型，柵偏壓為零時有電流流過，但襯底反向偏置以后就變為閾值電壓為正的增強型，元件之間是彼此隔離的。
圖3.22給出移位寄存器電路的一部分。T1、T4用作傳輸門，只是在各自加時鐘
時，才轉移前級的狀態。加到T1地址線和T4的時鐘信號互為反相，時鐘信號實際上是由單相脈沖通過兩個倒相器產生的。T2、T5的柵電容用于暫存。最大集成度為單片集成200位，亦有在襯底上集成2,000位的大規模集成電路化的報導19）。
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