四端MOS結構中反型基本特性作用解析

如表4.1已定義，當一個MOS晶體管的反型最強的溝道末端處于中反型時，我們就說該晶體管“工作在中反型區”^【73】。仿照我們前面的習慣【見式（4.4.1）下面的腳注】，假定這一末端就是鄰近源的一端。這意味著

或

于是根據3.1，并用S代替其中的C，對于一給定的VSB，可以得到用VGB表示的中反型條件：.

或者以VGS表示，

其中VGBH和VH由式（4.4.5）至（4.4.6）給出。根據式（3.4.5）和（3.4.9），用S代替其中的C，有

晶體管在這一工作區內的ID-VDS特性，其形狀大體上和強反型區的曲線相似（圖4.3），但它不能用強反型公式精確地描述，這是由于如4.3節中所說明的，在中反型區漂移分量和擴散分量對漏端電流都有重要影響的緣故。對于這一工作區，目前尚不知道有較方便的簡化式。因此可以采用4.3節中的適用于所有工作區的通用模型或采用半經驗模型^【60,61】。

在文獻中，經常完全不考慮中反型區，而是把它假定為強反型區之底部，并使用4.4節中的強反型公式。然而，由于在中反型區溝道中沒有一點是處于強反型的，故那些強反型公式，諸如式（4.4.7）將會帶來誤差，因而這些公式為基礎的模型也是有誤差的。為了設法“擴展”強反型公式的適用范圍，有時把這些公式中的一些參數考慮成柵電壓的函數，例如式（4.4.7）中的ф_B或式（4.4.26）中的VT^【46】。

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