四端MOS結構以VSB和VDB表示的工作區分析

迄今為止，我們已給出了用VGB（或VGS）表示的晶體管各工作區的條件。但這樣一些條件也可在某一給定的VGB條件下用VSB和VDB來給出。這樣，從圖4.5可清楚地看出，若要確定溝道源端和漏端的反型程度，則只要把VSB和VDB都與曾在3.4.1節中討論過的兩個量VCBH和VCBM進行比較即可。為方便起見，下面我們重新寫出這兩個量的值：

式中V2為零點幾伏（對于實際器件，在室溫下為0.5到0.6V）。

例如，從表4.1可知，若源和漏處的狀態分別對應于圖4.5中的點1和點2，則晶體管工作在弱反型區。若分別對應于點1和點3，則還是工作在弱反型區。若對應于點5和點2或點5和點3，則晶體管工作在中反型區。若晶體管工作在強反型區，則源和漏對應于點4和點5，點4和點1或點4和點3等等。注意，按表4.1，若點3對應于源而點4對應于漏，則晶體管仍然被說成是工作在強反型區。不過現在反型最強的溝道末端是鄰近漏的一端，這里VDB<VSB（VDS<0），這導致ID<0。這種工作狀態稱為反向工作，而與此相反的情況稱為正向工作。前面的大部分公式是在正向工作條件下寫出的。

利用上述觀察，不難看出定義反型區的一般方法為如圖4.19所示。例如，一個VSB<VCBH和VCBH<VDB<VCBM的晶體管對應于比如說A點，于是這晶體管便處于（正向）強反型。

注意，為了與4.6節的討論一致，我們在弱反型與耗盡之間還是不指定一個界限為好。相反地，若晶體管的工作狀態對應于圖4.19右上角內的一點，則只要ID保持大于漏電電流，我們就認為晶體管工作在弱反型區。

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