P溝MOS晶體管特性曲線及對三個不同的VSB分析

若襯底由n型材料制成，而源（漏）區由p⁺型材料制成，這就構成我們知道的p溝MOS晶體管或PMOS晶體管。圖4.24表示了這樣一個器件。p溝晶體管特性的一個實例示于圖4.25，p溝晶體管的工作情況與n溝的工作情況是“對偶”的。電子的這一角色由空穴來扮演，電離受主原子的這一角色由電離施主原子來扮演。將關于n溝器件的一些論述作簡單的修正以后就可適用于p溝器件。例如，在圖4.24中，柵-源電壓越負，靠近表面的空穴濃度越高。漏-源電壓越負，則源到漏的空穴流越強，因而漏端電流就越負（假定電流的參考方向選得和以前一樣，即從漏通過溝道到源）。源-襯底偏置電壓越負，被耗盡的施主原子數越多。

體效應系數由下式給出：

式中ND為襯底中施主原子的濃度。

在描述p溝器件時，模型公式中有一些很明顯的正負號的改變。例如，代替式（4.4.25），將有

代替式（4.4.26b），將有

式中VSB和中ФB均為負值。代替式（4.4.27），有

關于p溝器件的各種公式，將在題4.22中討論。在低柵壓條件下，p溝器件的有效遷移率值為n溝器件的，典型值為25μm²/（V·ns）。

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