MOS晶體管的增強型晶體管和耗盡型晶體管

考慮式（4.4.30）這一簡單模型。根據VTO的正負號，MOS晶體管可分為兩大類。VTO為正的n溝晶體管稱為增強型（或“常態截止”型）器件；而VTo為負的n溝晶體管稱為耗盡型（或“常態導通”型）器件。這些名稱起源于早些年代，那時弱反型被忽略，并且認為n溝晶體管在VGS>VTO時導通，在VGS<VTO時截止（假設VSB=0）。因此，若VTo為正，則在VGS==0時晶體管截止，取一個正的VGS來“增強”溝道，從而使器件導通。若VTo為負，則在VGS=0時，n溝器件已經導通，取一個負的VGS來“耗盡”溝道，從而使器件截止。對于p溝器件，負的VTo對應于增強型，正的VTo對應于耗盡型。在lVDSl很小的條件下，四種類型器件的ID-VGS特性示于圖4.26。

VTO值原則上可在制造時通過淺離子注入來調整。在這種工藝中，器件受高能離子轟擊。如果所有這種離子都能停留在氧化層-半導體界面上，則它們的效果將與式（2.2.6）中的Qˊ_o相同。這樣，VFB值就可得到調節，而VFB又可調節式（4.4.27）中的VTO。然而實際上離子注入不可能那樣淺，散布的離子進入襯底可能產生二次效應，因此最終得到的器件無法在本章中得到精確模似。離子注入器件將在第6章中討論。

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