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              MOS短溝道器件勢全下降-二維電荷共享和閾值電壓總結

              信息來源: 時間:2022-6-30

              MOS短溝道器件勢全下降-二維電荷共享和閾值電壓總結

              我們已經看到,有幾種因素會影響有效閾值電壓的值。根據長溝道器件的一般表達式,以及上述關于小溝道的討論,我們可以定性地總結出以下幾條;

              有效閾值電壓將會增加,當:

              1.襯底摻雜濃度增加。

              2.氧化層厚度增加。

              3.溝道長度增加。

              4.溝道寬度減小。

              5.結深減小。

              有效閾值電壓的概念代表我們為了使一些眾所周知的公式(針用的情況下仍能對長溝道和寬溝道器件所導出的)在原則上不適保持原有形式所作的一種努力。在這一節中我們已經介紹了一些摘自文獻的關于這種方法的有代表性的例子。如上所述,在這種方法中,不可避免地采用了一些任意的假設(或者至少是未經仔細證明的假設)。這是經驗模型的典型表現。雖然這種方法經常提供實用的結果,但有時還是把注意力過多地集中于根據一些任意假設去導出復雜的模型,而不是更多地去考慮這些假設的適用性。雖然最后所得到的模型可能是建立在不適當的假設基礎之上的,但由于它們包含了大量按經驗“調節”的參數,故仍能模擬實際器件。


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