電子技術論壇
與襯底弱同型的注入溝道MOS晶體管特性
信息來源： 時間：2022-7-13
與襯底弱反型的注入溝道MOS晶體管特性
現在，讓我們簡單地看一下弱反型特性。ID與VGS的關系曲線看來如圖6.7所示。對于較大的VSB，耗盡區的邊在注入區之外，器件特性與非注入器件的特性定性相似。斜率和以前一樣，正比于1/n，n由式(4.6.20)給山，γ=γ2，且由式(6.2.11)給出。但是，對于較小的VSB，耗盡區的邊在注入區之內，γ=γ1，并由式(6.2.4)給出，因而n就大，斜率就小。對于低電壓的數字應用來說，這可能會產生問題，因為此時，為使器件截止，VGS的“擺幅”必須更大。此外還請注意，隨著VGS的增加，耗盡區的邊可能會移過一個雜質濃度大幅度變化的區域(從注入區中心到它的“邊緣”)，于是，n就不能定義為一個簡單的值了，InID對VGS的斜率是變化的，如圖6.7所示；ID與VGS不再成指數關系了。
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