簡易與襯底反型的注入溝道MOS晶體管特性作用

從上述討論應該清楚地看出，如果離子注入的劑量大且又不是淺注入，則會出現若干有害效應。這些有害效應包括低VSB時的強體效應，VGS和VSB值較小時ΔID／ΔVGS的衰減，弱反型時失去指數特性以及截止較慢等等。因此被注入的離子應該保持其能量為最小(但又必須足以保證使離子最終到達半導體而不是氧化層)，同時還要避免高溫處理，以防止離子向內散布。然而，從穿通角度來考慮，所提的要求與上述相反，或者如已經討論過的那樣干脆采用兩重離子注入。還應注意，本節所討論的離子注入器件，其遷移率有所降低。這是因為增加有效摻雜會在反型層中產生更強的電場，因而使表面散射增加(4．8節)。和4.8節一樣，有效遷移率方法可以用來模擬遷移率因垂直電場而下降的這一現象。注入器件中的短溝道和窄溝道效應尚未得到充分的描述。這些效應在注入器件和非注入器件中是定性相似的，尤其是在淺注入和小劑量的情況下。但是，已經發現深注入和大劑量注入有時會導致一些“反?！钡亩虦系佬?，諸如閾值電壓隨溝道長度的減小而增加。

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