電子技術論壇
動作工作下的MOS晶體管-大信號建模作用
信息來源： 時間：2022-7-15
動作工作下的MOS晶體管-大信號建模作用
在假設所有端電壓均為常數的情況下分析了MOS晶體管。然而，這種器件通常用于端電壓是變化的電路。這種“動態”工作引起晶體管電荷的變化，而這些電荷的變化必須由外部流罕器件各端的額外電流來提供(這里“額外 是指不是由直流理論所預測的電流)。
本章的主題是：計算動態工作下的各種電荷和各端電流，而對各個變量的大小不作限制，即討論大信號動態工作下的MOS晶體管。我們將著重討論源、漏之間的器件部分，包括反型層、耗盡區、氧化層和柵，即圖7.1中虛線框內的部分。這部分稱為本征部分，晶體管的作用主要與這部分有關。器件的其余部分構成非本征部分，限制晶體管整體性能的寄生效應與這一部分有關。器件的非本征部分我們將推后到第8章中討論。另外，除非另有說明，本章中我們將假設器件具有長而寬的溝道和均勻的襯底。
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