MOS晶體管準靜態工作下電荷計算的中反型特征

與建立漏端電流模型時的情況一樣，在中反型區，未曾導出過簡便的閉式的電荷表達式。建立電荷模型的通常的做法是忽略這個區域，而假設弱反型和強反型表達式所適用的VGS值的區域是緊挨的。這兩個區域之間的分界，點常常取為，即VM(中反型區底部)的近似值。這樣做對中反型區的電荷所引起的誤差是不大的。然而，若企圖通過對這些電荷求微分來獲得電容表達式，則我們將會看到，產生的誤差就比較大廣。

    為了更好地模擬中反型區的電荷，可以利用經驗公式，它們對應于平滑地連接弱反型區與強反型區的曲線而得出的電荷曲線。這樣做時，重要的是，在過渡點上不僅要保持電荷的連續性，而且還要保持電荷對端電壓的導數的連續性。這樣，由電荷表達式將可導出連續的電容表達式(第8章)。和所有的經驗公式一樣，下面這一點也很重要：這些經驗公式中的參數與工藝參數的關系是清楚的，因此，在無經驗數據可用的情況下可以進行預測。

    正如將在7.4.5節中可見，導出一個適用于所有區域(包括作為特殊情況的中反型區)的模型是有可能的。但是，和建立通用的漏端電流模型一樣，付出的代價是增加模型的復雜程度。

聯系方式：鄒先生

聯系電話：0755-83888366-8022

手機：18123972950

QQ：2880195519

聯系地址：深圳市福田區車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1

請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號

請“關注”官方微信公眾號:提供  MOS管  技術幫助