MOS晶體管準靜態工作下電荷計算的弱反型特征

弱反型時，電荷的計算十分容易。首先，我們注意到單位面積的耗盡區電荷由式(4.3.14)給出，重寫如下：

如4.6節中所見，在弱反型區(以及在耗盡區)，表面勢Ψs實際上與位置無關，并用下式給出：

現在，考慮電荷中性方程QG+Qc+QI+QB=0。為了計算QG，可利用弱反型時QI《QB這一條件(4.6節)，這樣，

    為了準確地求出QI，可利用4.6節中的說明，即Q′I在Q′I源和Q′I，漏之間的變化與位置成直線關系，如圖4.16所示，這樣

其中Q′I源和Q′I，漏的表達式已在4.6節中給出。由于Q′I是x的顯式函數，入式(7.2.3a)，直接求出QI，結果是

與此類似，把式(7.3.9)中的q用Q代替，并利用式(7.4.35)，可得

實際上，以上三種電荷在瞬態計算中常常全部忽略，其理由是：源結和漏結耗盡區(在溝道以外，器件的非本征部分)所包含的電荷可用1.5節中的方法來估算。當然，由于通過源端和漏端所提供的電子必定會使n⁺中材料中的電荷發生變化(當VSB和VDB變化時)。對于典型的溝道長度，這些電荷和相應的充電電流比與反型層有關的電荷和相應的充電電流要大得多。因此，在弱反型時，源和漏的充電電流被器件的非本征部分所控制，并常用下面的簡化式：

雖然我們正在考慮一個處于弱反型的晶體管的本征動態情況，但是可以看到，  已經導出的這些精確的電荷表達式也還是有用的。

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