MOS晶體管準靜態工作下電荷的計算積累重要性

和第2章中所說明的一樣，當VGB比VFB足夠低時,p型襯底中(這里空穴豐富)的空穴立即在氧化層下積累起來，并在那里形成一層很薄的高導電層。支持這些空穴所需的表面勢是負的，但其值很小，因為空穴層是如此之薄(這一點可用附錄H中的一般分析來證明)。因此在電勢平衡方程(2.3.1)中，ψs可忽略，從而導致氧化層電勢ψox＝VGB-ΦMS；這樣，單位面積的柵電苞Q′G=C′oxψox。便可知道，再把它乘以柵面積可得

體內的空大電荷記作Qc，現在Qc可以從電荷平衡方程QG+Qc+Qo=0[見式(2.3.3)]求出，因此有

在文獻中，式(7.4.48)中的Qo有時被忽略。在這樣一些情況下，相應的QG式中采用VFB，而不是如式(7.4.47)那樣采用正確的中ΦMS。

若VGB非常會近VFB，則式(7.4.47)的精度有些下降，這是因為此時積累并不嚴重，因而上面所用的論述不能真正成立的緣故，當精度要求特別高時，可采用附錄H中的分析方法。

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