MOS晶體管電荷與VGS的關系曲線圖分析

圖7.7中，我們已經見到過在強反型時；對于一固定的VGS值所繪出的電荷與VDS的函數關系曲線。為了顯示出電荷在所有工作區內的特性，常常反過來把VDS固定在某廣值，然后繪出電荷與VGS的函數關系曲線。繪制這樣的曲線相當于在ID-VDS特性曲線(示于圖7.8)上沿一條垂直線向上移動。隨著VGS的增加，所遇到的區域依次是積累，耗盡，弱反型，中反型、飽和以及非飽和?；仡櫼幌?，對于近似強反型模型，定義非飽和為

從該式解出VGB，便得

這一公式右端的臨界值已在圖7.8中標出。當固定VDS=VDS1時，電荷與VGS的關系曲線繪于圖7.9(中間的那條曲線給出了在反型和耗盡情況下的耗盡區電荷QB，以及在積累情況下的空穴電荷Qc)。若VDS選為VDS2，且VDS2>VDS1(圖7.8)，則將得到虛線所示的關系曲線。注意，VDS僅僅使這些曲線在非飽和區有點差異。這是因為在積累和耗盡時，VDS根本不出現在那些電荷表達式中，這可從本節所導出的電荷表達式看出，另外，在弱反型，中反型，以及飽和時，也就是在圖7.8中特性曲線的平直部分，此時漏已不能控制溝道了。

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