MOS晶體管非本征部分的小信號的柵重迭電容解析

晶體管的“非本征”部分是指圖8.21a虛線以外的所有部分。在圖8.21a及頂圖8.21b中，我們給出了在下面討論中要用到的一些符合的定義。

與非本征部分有關的電荷存儲效應可用6個小信號電容來模擬（每一對端子之間有一個電容，如圖8.22所示）在用于這些電容的符號中，前兩個下標指明有關的器件端，下標c代表非本征的。MOS晶體管非本征部分的小信號。若晶體管恰巧在CMOS芯片上的阱內，那末，還要考慮由于阱和公用襯底(阱就在它上面形成)之間的pn結而形成的電容。在圖8.22中，這一電容記作Cbb′，其中b對應于晶體管的本體，b′對應于公用襯底。虛線框內表示本征部分的模型，這一部分已在前兩節討論過了?，F在，我們把注意力集中在這七個非本征電容上。如下面所討論的那樣，不難把每個電容和晶體管的物理結構聯系起來。

柵重迭電容

柵和兩個n⁺區之間的重迭總是不可避免的。這就產生了“重迭電容”。由于柵和n⁺區都是高濃度摻雜的，故這類電容可用近似為線性的平板電容器來模擬，氧化層作為電介質。MOS晶體管非本征部分的小信號。如果重迭長度為ιov，如圖8.21所示，柵寬是W，則忽略邊緣效應(即由于場強線不是垂直表面，而是沿著重迭區之外的邊緣而產生的效應)以后，我們有

    如果ιov很小，則由于邊緣場強線而引起的電容可使總電容值增加一個很大的百分數。MOS晶體管非本征部分的小信號。這就牽涉到邊緣電容得計算問題，并常常采用經驗估算。

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