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MOS晶體管非本征部分的小信號的柵的連線/源漏鄰近電容分析
信息來源： 時間：2022-8-4
MOS晶體管非本征部分的小信號的柵的連線/源漏鄰近電容分析
柵的連線電容
由于柵和溝道區之外的襯底的重迭引起了柵-體寄生電容Cgbe。(例如，見圖5.13)。MOS晶體管柵的連線電容 MOS晶體管源漏鄰近電容。和Cgbe并聯的是另一寄生電容，它是因通過金屬層或多晶硅層把柵連向電路的其他部分而引起的。這一金屬層或多晶硅層被甲氧化層(典型情況時，是柵氧化層厚度的10倍)與襯底隔開。上述第二個電容應該認為是一個外部寄生電容，而與晶體管無關。
源漏鄰近電容
正如互相靠近的任何物體那樣，源和漏的n+區之間存在—個電容，圖8.22中用Csde表示。由于涉及到復雜的形狀，故該電容的值難以計算。然而，除非溝道很短，否則，這一電通常很小，與其他電容相比可以忽略。
MOS晶體管柵的連線電容 MOS晶體管源漏鄰近電容
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