MOS晶體管非本征部分的小信號的電阻特性分析

由于上面這些電容看來在圖8.13模型中是與對應的本征電容相并聯，所以它們很容易被合并到相對低頻時的，完整的小信號模型中去。然而，一個非本征部分的更加完整的模型還應包括寄生電阻。這些電阻就是源區電阻，漏區電阻，襯底電阻和柵材料電阻。在高頻時，電容阻抗的數值減小到了可與電阻值比較的值；因此，就應該考慮電阻。 MOS晶體管非本征部分的小信號的電阻?？紤]電阻最簡單的方法是用幾個集總元件來近似表示電阻性的通路。圖8.23表示了一個例子。圖中具有下標s，d，g和b的電阻符號分別模擬源區，漏區，柵區和襯底的電阻性材料?？梢岳媒涷炓巹t來估計這些電阻值，但是它們與給定晶體管結構的細節關系很大?？上?，沒有一個通用的規則可以用來確定這樣一些效應變得重要時的頻率，這一頻率很大程度上取決于那些區域的電阻率，幾何尺寸，接觸方式等等。

    與早些時候結合圖8.16a所定義的本征截止頻率類似，對于完整的晶體管來說，也可把小信號電流增益變為1時的頻率定義為截止頻率。MOS晶體管非本征部分的小信號的電阻。由于存在非本征元件，所以，完整的晶體管的截止頻率低于本征部分的截止頻率。

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