電子技術論壇
MOS晶體管低中頻小信號的等效電路模型重要特性
信息來源： 時間：2022-8-9
MOS晶體管低中頻小信號的等效電路模型重要特性
在圖8.13的小信號等效電路中加-噪聲電流源便得出圖8.29中的模型。噪聲電流源的功率譜密度由式(8.5.2)給出。當采用這樣一些模型來計算電路中的噪聲時，我們不得不計算噪聲電流和噪聲電壓的均方值或均方根值，而不是計算噪聲電流和噪聲電壓的本身，這一點需要小心些。MOS晶體管低中頻小信號的等效電路模型。這樣一些計算的簡便方法在電略設計的教科書中給出。
8.4節中討論的非本征電阻也會表現出熱噪聲。這一效應可以通過給每一非本征電阻串聯-噪聲電壓源來模擬，該電壓源的功率譜密度為4kTR，其中只是與它相串聯的非本征電阻的阻值。對于某一特定的器件結構，多晶硅柵電阻可能是噪聲的顯著貢獻者。襯底電阻也是這樣,襯底電阻的噪聲通過襯底跨導gmb耦合到漏端電流。減小該效應的一種方法是減小gmb。MOS晶體管低中頻小信號的等效電路模型。根據8.2節可知，這可通過增加源-襯底偏壓VSB來實現。
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