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解析MOS管高頻小信號弱反型及通用型工作特性
信息來源： 時間：2022-8-11
解析MOS管高頻小信號弱反型及通用型工作特性
弱反型
弱反型時唯一重要的本征電容Cgb已在8.3節中討論過了。推導其他一些本征電容的表達式是不值得的。MOS管高頻小信號弱反型。對于所有器件(除溝道很長的器之外)來說，這些電容的效應將被非本征電容的效應所淹沒。
適用子所有反型區的通用模型
利用7.4.5節中提出的精確的電荷計算而導出的電容與VGS的關系曲線示于圖9.9。圖中畫出了用于圖9.5模型中的所有九個電容。MOS管高頻小信號弱反型。在中反型區附近，把水平軸放大便成了圖9.10。最后，在圖9.11中把Cgd和Cdg，Cba和Cdb以及Cgb和Cbg進行了比較?？梢?，這些電容對中的每一對電容，通常都是互不相等的，和本節由理論所預測的一樣。MOS管高頻小信號通用型。這些預測與測量結果是一致的。在圖9.12中給出了一個例子。MOS管高頻小信號通用型。
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