解析MOS管高頻小信號模型適用的頻率范圍的特征

就所適用的頻率范圍而論，計入四個電容Cm、Cmb，Cmx和Csd使得完整的準靜態模型優于圖8.13的簡單模型。改善的程度取決于偏壓和我們所考慮的端子。例如，飽和時Cm最大，正是在這種情況下，就柵對漏的作用而言，兩模型之間的差別最大。當VDS=0時，Cm=0，在這一點上兩模型是相同的。另一方面，也正是在VDS=0時，Csd最大，  因此正是在這點上，就源對漏的作用而言，兩模型的差別最大，為了提供某種粗略的指標，還是考慮飽和區的工作情況；對于小信號應用來說，飽和區是最重要的區域。假設模型中的元件值已經過選擇，  因此在頻率很低時，性能良好。然后，頻率一直高到大約ω₀／3[這里的ω₀由式(8.3.6)給出]，性能繼續良好，幾乎沒有惡化。這一結論是與9.4節中所討論的更完善的非準靜態模型比較后而得到的?，F在，有一點應該引起讀者注意。雖然完整靜態模型適用的頻率范圍比較大，但若超出這一范圍，該模型會給出極其錯誤的結果，事實上，在某些方面比圖8.13的簡單模型的結果更壞。這一重要論點將在9.5節中對模型進行比較時加以考慮。

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