MOS晶體管非準靜態模型的比較原理特性解析

圖9.23表示了a=0.5(VDS=V′DS／2)，強反型時,∣m∣/gm和m的相位與頻率(對數標尺)的關系曲線。頻率ω₀由式(8.3.6)給出，為方便起見重寫于此：

在每一圖中，曲線a對應于圖8.13的簡單摸型，曲線b對應于圖9.5的完整準靜態模型，曲線c對應于圖9.19或圖9.21模型。MOS晶體管非準靜態模型的比較。最后，曲線d對應于在式（9.4.65）的分子和分母中保留許多項而得出的模型，這一模型甚至在頻率高于10ω₀時仍是有效的。在圖9.23b中可見，在有效區內，b比a有很大的改善。b的有效區受到高頻時模值誤差變得嚴重了得限制，這是因為這個模型（9.3.11g的）m 含有左半平面的極點相反。高頻時，b的模值上升顯然不符合實際情況，因為這與高頻時柵對漏端電流的控制由于反型層的    慣性而逐漸消失的預料相反，上述現象暗示了在正向柵-漏作用時，這一控制作用會增強。MOS晶體管非準靜態模型的比較。事實上，就關心模值而論，a比b好，雖然a對應于一個較簡單的模型，曲線c消除了曲線b存在的問題，因而，頻率一直高到約為ω₀，它都能滿意地預測模值和相位。

欲比較各種模型，并確定有效區的頻率上限，可以畫出對于其他工作點和其他參數的類似曲線?？梢园l現，對于一給定模型的某一參數，它的有效區的頻率上限取舉于它是哪一個參數，工作點在哪里，所要求的精度是什么，最感興趣的是模值還是相位等等。此外，我們總會構成使模型在某一方面失效的病態情況。MOS晶體管非準靜態模型的比較。因此，我們提供的頻率有效范圍應該按上述見解來考慮。它們只是粗略地指明這樣的頻率范圍，即在該范圍內，一個給定模型在大多數情況下將有令人滿意的性能。為了總結一下，我們對本章和前一章中的強反型模型提出如下的頻率范圍：

1、無轉移電容的準靜態模型(圖8.13)：  

2、有轉移電容的準靜態模型(圖9.5)：

3、一階非準靜態模型(圖9.19或圖9.21)：

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