電子技術論壇
MOS晶體管制造工藝的擴散工序工作原理解析
信息來源： 時間：2022-8-23
MOS晶體管制造工藝的擴散工序工作原理解析
擴散
用離子注入法淀積在硅表面附近的雜質原子，用稱之為擴散的工藝被驅入硅內較深的位置。MOS晶體管制造工藝的擴散。把硅片置于高溫爐內一定時間后（如1000℃，30分鐘）就完成了這個過程，這一過程示于圖10.4。
制造工藝流程進行時，有意或無意的就進行了雜質擴散，例如，當要形成深的摻雜層時，可把硅片置于高溫下相當一段時間，有意識地使摻雜原子擴散相當長的距離。MOS晶體管制造工藝的擴散。然而，當希望在表面附近得到重摻雜的薄層時，則伴隨必要的摻雜原子的活化和離子注入損傷退火而引起的雜質原子的擴散是不希望有的，因為這將使薄層增厚。MOS晶體管制造工藝的擴散?，F代工藝中，除了CMOS要形成深“阱”外，摻雜原子的擴散一定要保持最小。由于這一原因，擴散很少作為一個單獨的工序出現，大多是自然地發生于熱氧化時或注入退火時，因為所有這些工藝需要相類似的溫度與時間。
聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市福田區車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號
請“關注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術幫助
