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MOS晶體管制造工藝外延工序的工作原理解析
信息來源： 時間：2022-8-23
MOS晶體管制造工藝外延工序的工作原理解析
外延
與上述所有制造工序不同，外延工藝只在工藝流程開始時使用一次。外延是在硅片頂層生長一層硅薄膜，將硅片置于含有硅的化合物例如SiH4的環境小，在1000到1200℃高溫就可發生這一過程。MOS晶體管制造工藝外延。硅化合物的分子在熱硅片表面上分解，這些自由化了的硅原子便按照底層晶格的形式排列在硅片表面上。這樣，外延淀積的硅薄膜，在晶格排列上與底下的晶體完全重復。外延工藝的使用是為了使生長出來的薄膜的摻雜水平和／或摻雜類型可與底下襯底的不一樣。MOS晶體管制造工藝外延。在CMOS工藝一節將會看到，這會構成明顯的好處，優于均勻摻雜的襯底。
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