離子注入法制造CMOS電路分析

在常規工藝中，P阱區是用淡硼擴散形成的，擴散濃度的誤差較大，要準確控制在10¹⁵個/cm²左右是比較困難的，造成閾值電壓不易匹配。因此，有必要用離子注入法來形成P阱，以替代淡硼擴散。CMOS電路。由于離子注入摻雜的劑量可以很精確地控制，因此大大提高了N溝道MOS管閾值電壓的一致性。

離子注入的劑量可以根據閾值電壓的要求計算出來。對于（100）晶面的硅襯底，，要求，根據閾值電壓公式進行計算：

最后求得：

因為襯底濃度，可提供的耗盡電荷。離子注入首先要補償這部分電荷，然后進一步注入，使達到，所以總的注入劑量應為。CMOS電路。若考慮到散射和有關注入離子沒有活化，實際注入的劑量應當比這數值稍大些。

圖6-17所示是采用離子注入、等平面工藝、硅柵工藝和SiO2-Si3N4雙層柵工藝結合制造的，并由氧化物隔離的CMOS電路結構圖。它電路性能好、集成度高和可靠性強，但工藝步驟顯得復雜些。

工藝中P阱的形成和MOS器件的源漏均采用離子注入技術。器件之間的隔離用選擇氧化技術，使SiO2埋在硅體中，留下由場氧化物隔離所分開的硅臺面。然后在硅臺面上用離子注入形成MOS器件。這樣發揮了選擇氧化的優點。片子表面較平整，克服了普通工藝中厚氧化物臺階斷線的缺點。CMOS電路。柵電極采用硅柵工藝及Si3N4夾層，形成了SiO2-多品硅一Si3N4-SiO2結構。

以上只介紹了兩種CMOS工藝，其它一些CMOS工藝方法，基本上是以上所述方式的不同組合。

聯系方式：鄒先生

聯系電話：0755-83888366-8022

手機：18123972950

QQ：2880195519

聯系地址：深圳市福田區車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1

請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號

請“關注”官方微信公眾號:提供  MOS管  技術幫助