MOS管恒流源電路基本特征及分析

在MOS模擬集成電路中，恒流源電路常作為偏置電路以及作為放大器的有源負載.模擬集成電路性能的優劣常與恒流源電路的恒流特性密切相關。MOS場效應管恒流源的電路形式與雙極型晶體管電路基本相似?，F介紹種常用的MOS管恒流源電路。

（一）MOS管恒流源電路分析

基本的但流源電路如圖2.2-1所示，圖中的IR為參考電流，IO為輸出電流。MOS管M1工作在飽和區（VDS=VGS），若MOS管M2的，那么M2也工作在飽和區。

根據飽和區的電流方程可求得Io與IR的關系式為：

式中W2/L2為M2管的寬長比，W1/L1為M2管的寬長比，并假定兩管的μ、和λ相同。

由（2.2-1）式可知，只要改變M1，M2管的寬長比，就可設計出所需要的Io，若=

，W2/L2=W1/L1，則Io=Ix，因，而Vo是輸出電壓，通常Vo是一變溢，且，由于溝道長度調制效應的存在，Io隨輸出電壓Vo的的變化而變化。MOS管恒流源電路。顯然，只有λ=0時，才能使Io為恒定值。

要使圖2.2-1的恒流源電路的恒流特性有所改善，可增大M2管的溝道長度L.L增大，使λ減小，輸出阻抗ro增大（ro=1/λIo），恒流特性得到改善。在許多應用中，需要較大的輸出阻抗和良好的恒流特性，就要對上述的恒流源電路加以改進，下面討論經過改進的恒流源電路。

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